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事件:近期全球存储龙头海力士、三星相继发布4Q24季报。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】海力士4Q24实现营收19.8万亿韩元,YOY+75%,QOQ+12%;三星存储业务4Q24实现营收23.0万亿韩元,YOY+46%,QOQ+3%。http://www.hibor.com.cn(慧博投研资讯)
数据中心市场构成主要需求增量,4Q24收入维持高增。
海力士方面,4Q24单季度收入19.8万亿韩元创下新高,其中DRAM收入占比74%,QOQ+5pct,bit出货量QOQ中个位数增长,ASPQOQ增长10%;NAND收入占比24%,出货量和ASP均QOQ中个位数下滑。海力士表示AI算力带来的存储需求贡献4Q24主要增量,HBM收入占DRAM超过40%,eSSD亦持续增长。
三星方面,其存储业务4Q24收入23.0万亿韩元同样创下新高,公司表示增长主要来自HBM和DDR5,其中HBM收入在4Q24环增190%。
景气展望:传统存储阶段性回落,2Q25有望呈现回暖拐点。
三星在业绩会上表示,4Q24移动端市场和PC市场客户库存调整幅度超出公司预期,叠加终端需求疲软,同步影响DRAM和NAND需求,展望2025年预计1Q25公司DRAM产品的bit出货将环比高个位数下滑,NAND的bit出货将环比双位数下滑,传统存储产品价格将继续下行。因此公司将在2025年减少传统DRAM和NAND产品产出,并预计伴随移动端和PC端库存调整完成,传统存储需求在2Q25有望呈现回暖迹象。
海力士方面同样预期1Q25 DRAM业务和NAND业务的bit出货量环比双位数下滑,但全年来看,预计2025年DRAM bit出货同比增长中高双位数,NANDbit出货同比增长低双位数,PC/移动端市场均有望在2025年录得增长。
数据中心DRAM/SSD及HBM构成2025年主要增量。
除传统存储的周期复苏之外,AI算力带来的数据中心存储需求仍将是存储厂商2025年的主要增长动力,包括服务器DRAM、SSD以及HBM。海力士表示2024年HBM收入同比增长超过4.5倍,eSSD同比增长超过300%,并预计2025年HBM收入将有翻倍以上增长。三星预计2025年HBM bit产量同比翻倍增长,公司已向客户送样16Hi HBM3E产品,并预计在2025年下半年开始量产基于1c工艺的HBM4产品。
投资建议:传统存储周期触底在即,服务器存储需求持续增长,建议关注国产DRAM龙头兆易创新,存储模组厂德明利、江波龙、佰维存储等。
风险提示:存储价格周期性波动;下游需求复苏不及预期;行业竞争加剧
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