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投资要点
存内计算引领AI新方向。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】弱化或消除“存储墙”及“功耗墙”问题的方法是采用存内计算Computing-in-Memory(CIM)结构。http://www.hibor.com.cn(慧博投研资讯)其核心思想是将部分或全部的计算移到存储中,让存储单元具有计算能力,数据不需要单独的运算部件来完成计算,而是在存储单元中完成存储和计算,消除了数据访存延迟和功耗,是一种真正意义上的存储与计算融合。同时,由于计算完全依赖于存储,因此可以开发更细粒度的并行性,大幅提升性能尤其是能效比。要在存储上做计算,存储介质的选择是成本关键。单芯片为王,炬芯的目标是将低功耗端侧AI的计算能力和其他SoC的模块集成于一颗芯片中,于是使用特殊工艺的DDRRAM和Flash无法在考虑范围内。而采用标准SoC适用的CMOS工艺中的SRAM和新兴NVRAM(如RRAM或者MRAM)进入视野。SRAM工艺非常成熟,且可以伴随着先进工艺升级同步升级,读写速度快、能效比高,并可以无限多次读写。唯一缺陷是存储密度较低,但对于绝大多数端侧AI的算力需求,该缺陷不会成为阻力。短期内,SRAM是在低功耗端侧AI设备上打造高能效比的最佳技术路径,且可以快速落地,没有量产风险。
新存内计算产品打开业界新增量。公司创新性的采用了基于模数混合设计的电路实现CIM,在SRAM介质内用客制化的模拟设计实现数字计算电路,既实现了真正的CIM,又保证了计算精度和量产一致性。炬芯科技选择基于模数混合电路的SRAM存内计算(Mixed-ModeSRAM based CIM,简称MMSCIM)的技术路径,具有以下几点显著的优势:
第一,比纯数字实现的能效比更高,并几乎等同于纯模拟实现的能效比;
第二,无需ADC/DAC,数字实现的精度,高可靠性和量产一致性,这是数字化天生的优势;
第三,易于工艺升级和不同FAB间的设计转换;
第四,容易提升速度,进行性能/功耗/面积(PPA)的优化;
第五,自适应稀疏矩阵,进一步节省功耗,提升能效比。
而对于高质量的音频处理和语音应用,MMSCIM是最佳的未来低功耗端侧AI音频技术架构。由于减少了在内存和存储之间数据传输的需求,它可以大幅降低延迟,显著提升性能,有效减少功耗和热量产生。对于要在追求极致能效比电池供电IoT设备上赋能AI,在每毫瓦下打造尽可能多的AI算力,公司采用的MMSCIM技术是真正实现端侧AI落地的最佳解决方案。
存内计算产品路线开创新领域。1、炬芯第一代(GEN1)MMSCIM已经在2024年落地,GEN1 MMSCIM采用22纳米制程,每一个核可以提供100 GOPS的算力,能效比高达6.4 TOPS/W @INT8;2、到2025年,炬芯科技将推出第二代(GEN2)MMSCIM,GEN2 MMSCIM采用22纳米制程,性能将相较第一代提高三倍,每个核提供300GOPS算力,直接支持Transformer模型,能效比也提高到7.8TOPS/W @INT8;3、到2026年,推出新制程12纳米的第三代(GEN3)MMSCIM,GEN3MMSCIM每个核达到1 TOPS的高算力,支持Transformer,能效比进一步提升至15.6TOPS/W @INT8。以上每一代MMSCIM技术均可以通过多核叠加的方式来提升总算力,比如MMSCIMGEN2单核是300 GOPS算力,可以通过四个核组合来达到高于1TOPS的算力。
投资建议:
我们预计公司2024-2026年归母净利润0.9/1.4/2.0亿元,维持“买入”评级。
风险提示:
产品研发及技术创新不及预期;行业竞争格局加剧风险;国际贸易摩擦风险;产品推广不及预期。
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