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事件:三星拟在第9代V-NAND的金属布线艺过程中应用钼元素
近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,该产品拥有当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度,在位密度、功耗、数据输入/输出速度等方面都比第八代产品更有优势。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】同时,三星拟在新一代V-NAND的金属布线工艺中使用钼金属替代钨金属,并已引进5台钼沉积机用于该工艺,预计未来一年内将再引进20台同类设备。http://www.hibor.com.cn(慧博投研资讯)钼具有高电导率、低电阻和优异的耐久性等特点,以上特性将使得V-NAND闪存在数据传输速度、存储密度和耐用性等方面实现显著提升。随着钼技术的逐步普及和成熟,它还有望成为未来NAND闪存制造中的一个重要趋势,推动整个行业的技术进步和发展。
对比传统的钨材料,钼金属更符合NAND技术发展趋势
NAND技术是指NAND型闪存(NAND flash memory)技术,它是一种非易失性存储技术,用于制造高容量的数据存储设备,当前的技术方向是通过能构建更多层数的3DNAND工艺以提高NAND的性能,并广泛应用于便携式电子设备和数据存储。其中,金属栅极作为晶体管的一部分,主要功能是控制晶体管的开关状态,由于金属栅极材料通常具有较低的电阻率,对减少器件的功耗并提高性能具有重要的意义,同时金属栅极能适应3DNAND技术,提供必要的电气连接和控制。此前,三星主要使用钨元素作为金属栅极,但钨沉积过程中产生的残留氟成分溢出会损伤结构。此外,随着层数的增加,也要求缩小层厚以控制堆叠的高度。三星使用钼元素制成的金属栅极在小尺寸具有较低电阻率,可以有效降低层厚,允许在NAND中堆叠更多层。
钼资源:供给逐步刚性,需求稳步增长
根据USGS数据,从产量数据看,全球钼产量由2020年的29.8万吨,下降至2022年的25万吨,下滑16.1%,2023年产量小幅反弹至26万吨。海外存量矿山品位下滑对钼供给影响严重,未来钼供给或并不乐观。从储量数据看,2023年全球钼资源储量为1500万吨,尽管相较于2022年的1200万吨出现快速反弹,但相较2020年的1800万吨仍然下滑16.7%。我们认为,海外存量矿山普遍面临品位下滑问题,对钼供给影响严重,未来钼供给或并不乐观。
近年来钼金属需求稳步增长。2023年全球消费量同比增长0.78%至28.60万吨,2020年至2023年CAGR为5%,钼主要下游为钢铁领域,结构钢/不锈钢/化学品的消费占比分别为38%/25%/13%。而根据钨钼云商披露,2024H1,国内钼精矿/钼铁/钼酸铵/钼粉消费量分别同比增长9.31%/30.32%/19.23%/18.10%。由于在NAND领域中钼对钨元素存在替代效应,钼金属在半导体领域具有可观的应用前景,有望带来新的需求增量。
投资建议:钼需求稳中有升,钼产业相关标的将受益,推荐标的:金钼股份。
风险提示:技术应用不及预期,伴生矿随主品种迅速放量,单体钼矿快速放量
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