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大厂业绩:FY2024Q2美光业绩远超预期,HBM3E成功导入英伟达
美光科技发布最新财报,FY2024Q2实现营收58.24亿美元(此前指引51~55亿美元),同比+58%,环比+23%;毛利率20%(Non-GAAP,此前指引11.5%~14.5%),同比+51.4pcts,环比+19.2pcts;净利润(Non-GAAP)4.76亿美元,同比+20.57亿美元,环比+15.24亿美元,表现远超预期,实现强劲复苏。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】指引方面,FY2024Q3公司预计实现营收64~68亿美元,中值同比+73.68%,环比+13.32%;毛利率25%~28%,中值同比+42.5pcts,环比+6.5pcts,指引持续乐观。http://www.hibor.com.cn(慧博投研资讯)HBM方面,美光HBM3E将供应Nvidia H200 GPU,目前已实现量产,后续有望拉动公司毛利率水平,于2024年贡献数亿美元营收。目前来看,美光2024年HBM已经售罄,2025年产能也已近乎分配完毕,产品供不应求。
DRAM:2024年订单量持续攀升,HBM供不应求
总产能方面,据集邦咨询,截至2024年底,整体DRAM产业规划生产HBMTSV的产能约为250K/m,占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%,原厂持续加大投入,供给位元年增长率有望高达260%。占比方面,HBM需求持续旺盛,2024年订单已基本被买家锁定,占DRAM总产值比重有望从2023年的8.4%提升至2024年的20.1%,成长迅速。分厂商来看,三星、SK海力士至2024年年底的产能规划最积极,三星HBM总产能至年底将达约130K/m(含TSV);SK海力士约120K/m。以现阶段主流产品HBM3产品来看,目前SK海力士市占率超90%,而三星将随着AMDMI300逐季放量来实现追赶。
NAND:稼动率逐步提升,Q2有望涨价15-20%
稼动率方面,据闪德资讯报道,随着库存调整和智能手机市场需求转好,三星西安NAND闪存厂稼动率正持续提升,目前已达70%;与此同时,铠侠计划在3月内将NAND稼动率提升至90%,大厂近期稼动率调升动作频繁,反应需求正逐步向好。价格方面,近期部分厂商透露涨价意愿,慧荣科技表示2024Q2NAND价格预计上涨20%,三星电子计划在2024年3-4月与主要手机、PC和服务器客户重新谈价,预计将推动NAND闪存价格上涨15%-20%。随着板块持续复苏,以及HBM和DDR5等产品的需求增长,相关公司有望充分受益,受益标的:
(1)存储芯片:兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正等;
(2)存储模组:江波龙、德明利、协创数据、佰维存储等;
(3)存储接口:澜起科技、聚辰股份等;
(4)存储封测及HBM产业链:长电科技、通富微电、华天科技、香农芯创等
风险提示:需求复苏不及预期,行业竞争加剧,公司新品研发进度不及预期
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