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海外大厂HBM3E 量产在即。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】(1)近日,美光宣布已开始量产其HBM3E高带宽内存解决方案。http://www.hibor.com.cn(慧博投研资讯)英伟达H200 Tensor Core GPU将采用美光8层堆叠的24GB容量HBM3E内存,并于2024年第二季度开始出货。美光HBM3E引脚速率超过9.2Gb/s,提供超过1.2TB/s的内存带宽。与HBM3相比,HBM3E将数据传输速率和峰值内存带宽提高了44%。(2)三星发布首款36GBHBM3E 12HDRAM,目前为三星容量最大的HBM。三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s,产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM38H,HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。相比HBM38H,HBM3E 12H搭载于人工智能应用后,公司预计人工智能训练平均速度可提升34%,同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。(3)SK海力士于1月中旬正式结束了HBM3E的开发工作,并顺利完成英伟达历时半年的性能评估,计划于3月开始大规模生产HBM3E产品,这批HBM3E将用于英伟达下一代Blackwell系列的AI芯片旗舰产品B100上,而英伟达则计划于2024年第二季度末或第三季度初推出该系列产品。
国内存储厂商入局HBM市场。根据采招网,近日,武汉新芯发布《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目,利用三维集成多晶圆堆叠技术,打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品,推进多晶圆堆叠工艺产业化,新增生产设备约17台/套,拟实现月产出能力≥3000片(12英寸)。我们认为,国内存储厂商在HBM技术上的加速突破,有望在AI大浪潮的需求下提升竞争实力,相关产业链也或将受益。
AI浪潮驱动,HBM先进封装、设备材料产业链环节持续受益。HBM制造工艺包括TSV、Bumping和堆叠等工艺环节。HBM是由多个DRAM die堆叠而成,利用硅通孔(TSV)和微凸块(Microbump)将die之间相连接,多层DRAM die再与最下层的Base die连接,然后通过凸块(Bump)与硅中阶层(interposer)互联。HBM与GPU、CPU或ASIC共同铺设在硅中阶层上,通过CoWoS等2.5D封装工艺相互连接,硅中介层通过Cu Bump连接至封装基板(Package Substrate)上,最后封装基板再通过锡球与下方的PCB基板相连。根据全球半导体观察,目前HBM存储芯片的整体良率在65%左右,HBM良率的高低主要受到其堆叠架构复杂性的影响,这涉及到多层次的内存结构和作为各层连接之用的直通TSV技术。这些复杂技术增加了制程缺陷的风险,可能导致良率低于设计较简单的内存产品。因此存储大厂纷纷加码HBM先进封装,提升HBM良率并降低功耗。此外,根据CFM,SK海力士拟将新一代HBM4堆栈直接放置在处理器上,通过3D堆叠的形式进一步提高I/O数量。
投资建议:受益于AI算力需求的强劲推动,HBM或将成为存储芯片市场复苏的主要驱动力,同时国内存储厂商也加速产品布局和技术突破,相关产业链上下游的厂商有望加速受益,建议关注:(1)存储:江波龙、德明利、兆易创新、东芯股份等;(2)先进封装:通富微电、长电科技、深科技等;(3)代理:香农芯创等;(4)设备和材料:北方华创、中微公司、赛腾股份、雅克科技等。
风险因素:下游需求不及预期风险;国内技术研发不及预期风险;中美贸易摩擦加剧风险。
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