光大证券-半导体行业新周期系列报告之五：存储，2024年有望连续4个季度涨价，重点关注佰维存储等模组公司-240221

　　一、DRAM和NANDFlash在2024年有望连续4个季度涨价

　　据TrendForce集邦咨询研究显示，DRAM产品合约价自2021年第四季开始下跌，连跌八季，至2023年第四季起涨。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】NANDFlash方面，合约价自2022年第三季开始下跌，连跌四季，至2023年第三季起涨。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）在面对2024年市场需求展望仍保守的前提下，二者价格走势均取决于供应商产能利用率情况。

　　2024Q1：2024年针对第一季价格趋势，TrendForce集邦咨询维持先前预测，DRAM合约价季涨幅约13~18%；NANDFlash则是18-23%。

　　2024Q2：虽然目前市场对2024Q2整体需求看法仍属保守，但DRAM与NANDFlash供应商已分别在2023Q4下旬，以及2024Q1调升产能利用率，加上NANDFlash买方也早在2024Q1将陆续完成库存回补。因此，DRAM、NANDFlash在2024Q2合约价季涨幅皆收敛至3~8%。

　　2024Q3：进入传统旺季，需求端预期来自北美云端服务业者（CSP）的补货动能较强，在预期DRAM及NANDFlash产能利用率均尚未恢复至满载的前提下，两者合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。其中，DRAM方面，因DDR5及HBM渗透率提升，受惠于平均单价提高，带动DRAM涨幅扩大。

　　2024Q4：第四季在供应商能够维持有效的控产策略的前提下，涨势应能延续，预估DRAM合约价季涨幅约8~13%：DRAM合约价涨幅扩大的原因是来自DDR5与HBM产品市场渗透率上升，若仅观察单一产品，例如DDR5，仍可能出现季跌，意即2024年度的DRAM合约价上涨并非所有颗粒类别全面上扬，而是产品类别逐渐转移之故。NANDFlash合约价季涨幅则预估0~5%。

　　二、存储行业：Gartner预测2024年市场规模同比增长66.3%，增速位列半导体各细分领域第一名

　　三、NANDFlash：2024Q1合约价季涨幅约15~20%

　　据TrendForce集邦咨询研究显示，尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势，但为避免缺货，买方持续扩大NANDFlash产品采购以建立安全库存水位，而供应商为减少亏损，对于推高价格势在必行，预估2024年第一季NANDFlash合约价季涨幅约15~20%。

　　值得注意的是，NANDFlash原厂为减少亏损而急拉价格，但由于短期内涨幅过高，需求脚步却跟不上，后续价格上涨仍需仰赖Enterprise SSD拉货动能恢复。2024年第一季供应商的投产步伐不一，随着部份供应商产能利用率提早拉升，新增位元产出将会自第二季发生，若后续需求位元成长未如预期，将对供应商形成压力，可能导致NANDFlash下半年价格涨幅收敛。

　　 Client SSD方面，PCOEM拉货动能预估会在2024年第一季达高峰，另随着PCIe 4.0 SSD渗透率持续上升，部分供应商已经启动制程升级，买方为避免SSD供应青黄不接，均愿意绑定较大需求位元订单。同时，供应商为加速达到损益平衡，大举拉抬PCIe 4.0产品价格，笔电客户被迫接受供应商报价可能性上升，故预估PCClient SSD在2024年第一季合约价季涨幅约15~20%。

　　Enterprise SSD方面，北美CSP采购需求仍未成长，但有来自中国CSP、Server品牌业者的订单支撑，2024年第一季Enterprise SSD市场需求呈现淡季不淡。整体来看，为建立安全库存水位，买方持续扩大订单，第一季供应商议价态度更强硬，带动Enterprise SSD合约季涨幅约18~23%。

　　eMMC方面，主要应用如智能手机、Chromebook客户采购需求持续回稳，不论原厂或模组厂均强势拉抬eMMC价格。由于部分原厂积极减产策略延续至第一季，导致小容量产品供应吃紧，买方由于库存偏低而被迫接受涨价，以避免供应短缺，而原厂会根据Wafer价格涨幅，同步调涨eMMC报价，故不论eMMC大小容量及产品应用领域，涨价幅度均高于两成。因此，预估2024年第一季eMMC合约价季涨幅约18~23%。

　　UFS方面，受原厂限制供应UFS产品并强势抬价影响，智能手机客户库存明显偏低，其中又以采用较高制程的UFS 4.0最为短缺，使2024年第一季智能手机OEM持续扩大订单，以建立安全库存水位。由于UFS 4.0供应商有限，并集中采用先进制程，加上Wafer合约价在2023年第四季涨幅已超过四成，原厂都希望能快速实现损益平衡。而即便卖方仍有足够库存满足市场需求，但UFS各系列产品报价仍都超过三成，故预估2024年第一季UFS合约价季涨幅约18~23%，以Mobile领域产品为首领涨。

　　NANDFlash Wafer方面，由于短期涨幅已高，加上第一季需求尚未全面复苏，模组厂开始销售Wafer库存锁定获利及维持营运现金流，导致买方追价意愿降低。即便原厂计划提高价格以提升获利，但2024年第一季NANDFlash Wafer合约价季涨幅收敛，预估约8~13%。

　　四、DRAM：2024Q1合约价季涨幅约13~18%

　　TrendForce集邦咨询表示，2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13~18%，其中Mobile DRAM持续领涨。目前观察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原厂认为持续性减产仍有其必要，以维持存储器产业的供需平衡。

　　 PCDRAM方面，由于DDR5订单需求尚未被满足，同时买方预期DDR4价格会持续上涨，带动买方拉货动能延续，然受到机种逐渐升级至DDR5影响，对DDR4的位元采购量不一定会扩大。不过，由于DDR4及DDR5的售价均尚未达到原厂目标，加上买方仍可接受第一季续涨，故预估整体PCDRAM合约价季涨幅约10~15%，其中DDR5涨幅会略高于DDR4。

　　Server DRAM方面，由于去年买方着重加速DDR4去化，导致2023年第四季DDR5库存占比已上升至约40%，相较20~25%的市场渗透率，明显看出市场需求仍未全面兑现。然而，原厂持续收敛DDR4供给量，同时为提高获利能力而大幅提高DDR5产出，使2024年第一季Server DRAM合约价季涨幅扩大至10~15%。只是部分原厂较早议定价格，使去年第四季的合约价基准较高，故部分业者2024年第一季价格涨幅约8~13%。

　　Mobile DRAM方面，由于合约价格仍在历史相对低点，买方更倾向持续建立安全且相对低价的库存水位，因此不断放大购货需求，故第一季Mobile DRAM需求不减。由于买方积极采购，供需转为紧张，但碍于智能手机市场后续仍有不确定性，原厂亦不敢贸然恢复满产。另一方面，半导体制程耗时较长，短期内供需紧张态势难以缓解，将有利原厂价格拉抬。因此，预估2024年第一季Mobile DRAM合约价季涨幅约18~23%，且不排除在寡占市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况下，季涨幅有扩大可能。

　　Graphics DRAM方面，由于在涨势延续的氛围下，买方也持续备货，故主流规格GDDR616Gb需求仍强，采购心态普遍愿意接受上涨，预估第一季GraphicsDRAM合约价季涨幅约10~15%。TrendForce集邦咨询观察，短期内GraphicsDRAM没有跌价迹象，目前拉货动能主要受到买方提前备货所带动，加上Graphics DRAM属于浅盘市场产品，故需特别留意后续终端消费性电子产品的销售动能是否能跟上。

　　Consumer DRAM方面，因原厂强势拉抬合约价格，促使买方提前备货，拉货动能好转。然而，2024年第一季适逢产业淡季，预期在终端销售疲弱的情况下，买方因提前备货的策略导致库存上升。原厂普遍认为，2024年受HBM及DDR5的渗透逐季扩大影响，低毛利的DDR4产能将被排挤而形成缺货，故DDR4在2024年第一季合约价季涨幅会较DDR3高，约10~15%。DDR3仍有厂商持续供应，且普遍库存水位仍高，2024年第一季合约价季涨幅约8~13%。

　　五、存储行业投资建议

　　投资建议：存储行业拐点已至，2024年有望连续4个季度价格上涨。建议关注：

　　1、模组：佰维存储、江波龙、德明利、香农芯创、万润科技；

　　2、测试机：长川科技、精智达；

　　3、DDR5：澜起科技、聚辰股份；

　　4、汽车存储：北京君正；

　　5、NORFLASH：兆易创新、普冉股份、恒烁股份、东芯股份。

　　风险提示：商业化进展不及预期，技术突破不及预期。