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投资要点
事件:2023年12月13日晶盛机电在SEMICONJAPAN 2023日本东京半导体展会上展示了8英寸碳化硅衬底片和8英寸外延生长设备,8英寸碳化硅衬底片已实现批量生产。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】
晶盛实现碳化硅设备自制,掌握核心长晶工艺。http://www.hibor.com.cn(慧博投研资讯)晶盛自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发,(1)设备:公司坚定电阻法技术路线,并在2020年建立长晶实验室和中试线,目前长晶和核心加工设备均为自制,设备国产化率达到90%以上。(2)工艺:碳化硅衬底长晶最难的是温度、气体、压力的控制,工艺的把握决定了良率水平,晶盛光伏单晶炉的优势为软件算法自制,同时蓝宝石长晶也积累了经验,延续应用至碳化硅长晶。
产能兼容6-8寸,8寸是未来重点。晶盛规划了25万片6寸和5万片8寸衬底片产能,设备从长晶、切片、减薄/研磨、抛光、清洗/检测均兼容6-8寸衬底,伴随良率近期逐渐在提高&摩尔定律的演绎,8寸会快速替代6寸,未来8寸放量后晶盛规划的产能可切换为8寸生产为主。
衬底片性能优越,与中芯集成等达成合作。目前8英寸碳化硅衬底片已实现批量生产,可提供500um和350um两种厚度的8英寸衬底片以满足不同客户要求。6英寸和8英寸量产晶片的核心位错可以稳定实现TSD<100个/ cm2,BPD<400个/cm2,达到行业领先水平。最新的研发数据核心位错缺陷得到更进一步的改善,TSD和BPD在90%以上面积上趋近0,目标在2024年从研发推动量产,最终实现“TSDFREE+ near BPDFREE”的目标。主要客户包括中芯集成等。
布局碳化硅外延设备(MOCVD),与衬底片协同。晶盛为国内龙头,2023年2月推出6寸双片式外延设备,同年6月推出8寸单片式设备,可兼容6、8寸生产,解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等,外延的厚度均匀性1.5%以内、掺杂均匀性4%以内。下游外延片厂商为晶盛衬底片+外延设备客户,形成协同。
盈利预测与投资评级:光伏设备是晶盛机电成长的第一曲线,第二曲线是光伏耗材和半导体耗材的放量,第三曲线是碳化硅设备+材料和半导体设备的放量。我们维持公司2023-2025年归母净利润为47/58/70亿元,对应PE为11/9/8倍,维持“买入”评级。
风险提示:下游扩产低于预期,新品拓展不及预期。
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