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本报告导读:
AI算力拉动HBM量产,海力士HBM3E预计2024年3月量产。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】看好国内先进封装及配套设备/材料产业链。http://www.hibor.com.cn(慧博投研资讯)
摘要:
持续推荐先进封装相关标的。通富微电、长电科技、甬矽电子、伟测科技(测试);先进封装设备标的:拓荆科技(键合设备+PECVD),芯源微(键合与解键合)、新益昌(固晶设备)、光力科技(划片机)。相关受益标的:华海清科、华海诚科、联瑞新材。
HBM加快量产步伐,海力士HBM3E预计2024年3月量产。高带宽存储器(HBM)通过TSV硅通孔、微凸块等先进封装技术将多个DRAM垂直堆叠,与GPU通过中介层互联封装,在较小空间里实现高带宽、高容量、低延时、低功耗,成为高性能AI算力需求下必经之路。HBM技术至今已发展至第4代(HBM1、HBM2、HBM2 E、HBM3)。英伟达新一代AI算力芯片H200将搭载首款海力士HBM3E。据海力士,HBM3E最高带宽1.18 TB/s,比HBM3快30%,数据容量高40%,传热速率高10%,预计2024年3月量产。此外,三星HBM3E顺利通过客户验证,预计2024H2量产,美光则跳过HBM3,HBM3E预计也将于2024H2开始向英伟达供货。
海力士HBM3E采用MR-MUF先进工艺,预计HBM4将使用混合键合工艺。HBM封装广泛采用TCB热压键合的方式进行堆叠,从芯片顶部发加热,仅芯片和Bump焊接连接处会发热,避免了下方基板翘曲问题,适用于极薄的芯片(~30μm)堆叠。海力士HBM2采用TC-NCF(Thermal Compression – Non Conductive Film,热压-非导电膜)的方式,预先沉积一层非导电膜控制翘曲,再进行热压键合,堆叠层数为4/8层,相对热指数为1。而从HBM3开始,海力士采用MR-MUF工艺(Mass Reflow-Molded Underfill,回流毛细管填充),回到传统倒装芯片大规模回流焊工艺,提高量产吞吐量,将液态环氧塑封料一次性注入堆叠好的芯片孔隙,实现低压填充并粘结。HBM3E焊接高度预计降低至13μm,堆叠层数实现8/12层,相对热指数降低至0.5。海力士宣布HBM4将采用混合键合工艺,在高度洁净平坦表面形成直接Cu-Cu键合,间距能低至数微米,实现最高16层的堆叠。HBM4预计将于2026年量产。
AI算力拉动HBM需求井喷,国内供应链有望受益。受AI算力需求拉动,中长期HBM年需求增长率预计将达40%。海力士将投资10亿美元发展HBM,至2024年底,海力士HBM产能将翻倍,2030年出货量有望达到1亿颗。三星HBM将投资7000-10000亿韩元投资新封装线,预计2024年出货量将提升2.5倍。
风险提示。AI产业发展不及预期;国产化进程不及预期;国际局势不稳定。
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