华金证券-半导体行业快报：涨价叠加供需改善推动，存储市场加速回暖-240528

　　投资要点

　　在涨价叠加供需改善的推动下，24Q1存储原厂业绩表现亮眼。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】随着原厂产能转向高附加值产品和需求复苏，利基存储市场有望加速回暖。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）此外，存储芯片或将成为国家大基金三期的重点投资对象，相关产业链有望受益。

　　弱需求致短期现货市场承压，AI手机/AIPC存储容量提升拉动存储需求

　　具体看本周存储价格（截至5月28日11：00），根据CFM数据，1）Flash Wafer：本周Flash Wafer价格维持不变。2）DDR：DDR416Gb 3200/eTT和8Gb eTT价格小幅下跌。3）渠道市场：渠道市场仍处于去库存阶段，本周渠道内存价格下调，降幅在4%~5%；渠道SSD价格持平。4）行业市场：小单询单有所增加，但大单依然较少，市场普遍谨慎观望，按需备货灵活应对，本周行业SSD价格维持不变，行业内存小幅下跌。5）嵌入式：原厂稀缺资源供应持续紧张，eMCP/LPDDR/UFS/uMCP价格维持不变，仅部分eMMC价格出现小幅下调。

　　CFM指出，虽然原厂资源及成品端价格仍然较高，但除原厂外的消费类品牌价格普遍出现回调，传统PC市场短期难以摆脱增长乏力的困境，受弱需求冲击存储现货市场信心不足，贸易端变现压力较重，渠道消耗库存动作明显，短期存储现货行情将持续承压。我们预计，24H2随着AI手机和AIPC的发布，存储容量会显著提升，进而带动存储需求。

　　涨价叠加供需改善推动，24Q1存储原厂业绩表现亮眼

　　受益于AI需求强劲增长，服务器eSSD、DDR5及HBM需求旺盛，加之NAND制程切换及DDR5产品迭代，服务器存储芯片供需紧张。同时，三星、SK海力士及美光等原厂积极转产或增产高利润的HBM，持续挤占传统存储芯片产能，加速存储产业链供需回归平衡。根据CFM数据，24Q1全球存储市场规模达339亿美元，同比增长86%，环比增长15%。在涨价叠加供需改善的推动下，24Q1存储原厂的存储收入同环比均回升；利润端，继23Q4仅SK海力士一家经营利润扭亏为盈、其余四家原厂（三星、美光、西数、铠侠）均处于亏损状态之后，24Q1五大原厂均实现扭亏为盈。

　　NAND：CFM数据显示，24Q1全球NAND市场规模达152亿美元，同比增长74%，环比增长24%。NAND均价在24Q1呈20%~30%的大幅上涨，其中三星、SK海力士和美光价格环比增速均在30%左右。DRAM：CFM数据显示，24Q1全球DRAM市场规模达到188亿美元，同比增长97%，环比增长9%。受益于DRAM价格的全面回升，以及HBM、DDR5等产品的出货增长，原厂DRAM营收延续增长势头；其中SK海力士和三星价格环比上涨幅度均在20%左右，美光价格环比增速超10%。

　　原厂产能转向高附加值产品以及需求复苏，利基存储市场有望加速回暖

　　 24Q2以来部分国内互联网厂商向原厂紧急加单HBM和DDR5产品，同时由于HBM产线已切换成HBM3/3E先进制程，针对客户HBM2E的急单需求，部分原厂只能紧急加开产线并将部分DDR4产线切换成HBM2E；预计至2024年底，原厂约80%DRAM产能切换至DDR5，DDR4供应或陷入短缺。根据ITHome消息，三星和SK海力士预计在24H2退役其DDR3产线。考虑到美光和南亚当前DDR3产量有限，两大原厂退出或将推高DDR3价格。兆易创新表示SLCNAND需求回暖和价格上涨约比利基DRAM晚一个季度，而NOR供需已回归平衡。我们认为，随着AI手机等端侧AI的普及和应用，以及AR/VR等新兴技术赋能可穿戴类产品刺激需求，NORFlash有望步入上行周期。

　　国家大基金三期落地，国内存储产业链有望受益

　　国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司已正式成立，注册资本高达3440亿人民币。随着AI应用需求持续释放，“先进存力”建设势在必行，存储芯片或成为国家大基金三期的重点投资对象。当前国内存储原厂扩产项目正有序推进，稼动率亦稳步提升，在国家大基金三期的政策加速催化下，存储产业链相关的设备、材料等厂商迎来黄金发展机遇。

　　投资建议：建议关注存储产业链相关标的：东芯股份，兆易创新，北京君正，江波龙，德明利，普冉股份等。

　　风险提示：下游需求复苏低于预期，终端去库存效果低于预期，相关厂商研发进程不及预期，基金出资方出资金额实缴到位进度不及预期，系统性风险等