甬兴证券-电子行业存储芯片周度跟踪：三星电子或提高1b DRAM良率，NAND/DRAM市场价小幅波动-240616

　　核心观点

　　NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，西部数据预览2Tb QLCNAND闪存芯片。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】根据DRAMexchange，上周（0610-0614）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.62%至3.11%，平均涨跌幅为0.20%。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）其中9个料号价格持平，7个料号价格上涨，6个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，西部数据预览了其创新的BICS82Tb QLCNAND闪存芯片，这款芯片以其218层的堆叠技术，成为目前业界最高密度的闪存产品。BICS82Tb QLCNAND闪存芯片的单芯片容量达2Tb，西数有望通过16层堆叠技术提供4TB的存储容量颗粒。

　　DRAM：颗粒价格小幅波动，三星电子或将提高1b DRAM良率及产能。根据DRAMexchange，上周（0610-0614）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.69%至0.04%，平均涨跌幅为-0.89%。上周1个料号呈上涨趋势，15个料号呈下降趋势，2个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星电子存储部门已于上个月成立专门工作小组，以提高1b DRAM良率及产能，将从2024年上半年的每月4万张扩大到第三季度的7万张、然后第四季度达到10万张的规模，并计划2025年将产能扩大到20万张/月。

　　HBM：SK海力士称其HBM产品比竞争对手产品更坚固。根据科创板日报报道，SK海力士声称，其HBM采用该司独特的大规模回流成型底部填充(MR-MUF)技术制造，比使用热压缩非导电膜(TC-NCF)制造的产品坚固60%。SK海力士通过使用尖锐工具刺穿HBM安装的DRAM顶部以产生划痕来进行测试，结果发现其芯片的划痕比使用TC-NCF生产的芯片少。

　　市场端：渠道和行业SSD价格保持稳定。上周（0610-0614）eMMC价格持平，UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，存储现货渠道市场需求寡淡，竞价出货以达降低库存水位。本周渠道内存条价格全面下调，渠道SSD整体价格暂时持平不变，部分渠道品牌SSD价格有一定的下滑，短期渠道行情仍不明朗。存储行业市场方面，因终端厂商原本就拥有一定的库存，上游资源价格仍居高位，采购端还是遵循按需拿货策略，本周行业SSD和内存价格维持不变。现货嵌入式市场方面，本周嵌入式产品整体价格维持不变，现货市场观望气氛依然浓厚。

　　投资建议

　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

　　风险提示

　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。