甬兴证券-电子行业存储芯片周度跟踪：美光扩充HBM产能，戴尔称DRAM成本或将上涨-240611

　　核心观点

　　NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，铠侠或将在2026年量产第十代NAND。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】根据DRAMexchange，上周（0603-0607）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.03%至3.05%，平均涨跌幅为-0.14%。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）其中6个料号价格持平，4个料号价格上涨，12个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，铠侠或将在2026年量产第10代NAND，并将采用低温蚀刻的新技术，可在比以往更低温的环境中进行蚀刻。

　　DRAM：颗粒价格小幅波动，戴尔称预计SSD和DRAM成本将逐季上涨。根据DRAMexchange，上周（0603-0607）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.52%至0.15%，平均涨跌幅为-0.67%。上周1个料号呈上涨趋势，17个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，戴尔首席运营官Jeffrey Clarke指出，在下半年，预计SSD和DRAM的成本将逐季上涨，涨幅在中到高个位数百分比，即大约在10%到20%之间。

　　HBM：美光2025自然年HBM目标为市占率20-25%。根据CFM闪存市场报道，美光表示目前正积极强化HBM技术并同步扩充产能，预期能在2025自然年达到约同于美光DRAM市占率的相同水准，也就是约为20-25%。美光表示，公司产能布局全球，日本广岛也是考虑扩充地点之一，目前HBM3E进展顺利，预期未来将贡献一定获利，市占率也会与现有市占率差不多，强调客户对公司的HBM3、HBM3E都很有兴趣。

　　市场端：渠道和行业部分低容量eMMC价格小幅下调。上周（0603-0607）eMMC价格小幅下跌，UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，受制于淡季传统PC出货衰退，现货市场需求萎缩库存积压，加剧市场竞争出货的现象。嵌入式方面，低端资源价格有压力，本周低容量8GB eMMC价格小幅下调，其他产品价格持平不变。

　　投资建议

　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

　　风险提示

　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等